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宽带InGaAs光电探测器

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更新时间：2024-04-01 | 阅读：773

详情介绍

宽带InGaAs光电探测器

宽带InGaAs光电探测器由光电探测器芯片和偏置电路组成，饱和光功率可达10dBm，小型化，可原位替换EM169，标准SMA射频口输出。

特性	应用
宽带	射频拉远
低噪声	跟踪遥测及控制
	雷达电子

绝对最大值额定参数

参数	符号	条件	最小值	最大值	单位
工作电压	Vpd	—	3	9	V
储存温度	Ts	—	-55	85	℃
工作温度	To	—	-40	70	℃
最大接收光功率	PIN	—	—	10	dBm

性能参数

参数	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
饱和光功率	PS	—	—	10	—	dBm
调制带宽	BW	—	0.1	20	—	GHz
幅度平坦度	AF	—	—	2	—	dB
响应度	Re	—	—	0.85	—	uA
波长	λ	—	1260	1310/1550	1625	nm
输出阻抗	ROUT	—	—	50	—	Ω
光接口	FC/A PC（可定制）
光纤类型	标准单模光纤，光纤直径0.9mm，光纤长度1m
射频接口	SMA
尺寸	17.78mm x 12.7mm x 8.9mm

订货信息

ZG	波长	饱和功率	带宽	连接头
	13=1310nm	10=10dbm	20=20GHZ	FC/APC
	15=1550nm			X

宽带InGaAs 光电探测器

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