高速可调阵列光衰减器

简介

具备支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切换速度更快等特性。硅基VOA阵列器件内部为全固态芯片，具有百纳秒级的响应速度，八通道单片集成，功耗低，满足光传输、光传感系统对光衰减器高速响应、小型化、高可靠的需求。其响应速度比传统VOA提升4个数量级，达到100ns级，使WDM光网络中光功率快速控制成为可能。此外，其超低的光损耗可满足民用光网络应用要求，集成度有助于大幅度减小模块尺寸，纯固态波导芯片使其具备可靠性。

特性应用

100ns级高速响应通道间光功率均衡或阻塞

多至48通道单片集成模拟信号调制

全固态波导芯片

超低光损耗

主要指标（典型值）

性能指标	单位	吸收型	备注
工作波长	nm	1525～1565
响应时间	ns	100-300
插入损耗	dB	1.2	光纤进到光纤出的损耗
衰减范围	dB	25
偏振相关性	dB	≤0.3	@0dB衰减时
偏振相关性	dB	≤0.5	@0~25dB衰减时
功耗(@18dB衰减)	mW	150	随衰减量增大而增大
电压	V	1.2
电流	mA	0-35
集成度	/	6CH/48CH

6通道纳秒光衰减器 6通道纳秒光衰减器

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