SOI芯片光延时线

一、SOI芯片光延时线的定义
SOI芯片式低偏振相关损耗可调光延时线，该产品基于级联的高速光开关和延时光路组成，实现大量程、高精度量化可调光延时线的片上集成，本产品通过创新设计实现了超低偏振相关性损耗，芯片尺寸小，集成度高，可提供裸片或光电一体化封装产品方案。
二、SOI芯片光延时线的特点
多通道
高集成度芯片化
高速响应
三、SOI芯片光延时线的应用
光纤传感
光纤通信
激光雷达

四、SOI芯片光延时线的性能指标

参数指标	单位	最小值	典型值	最大值
波长范围	nm	1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
单级热调功耗	mW			100
单级电调功耗	mW			10
光纤接入损耗	dB			12@9 bit
偏振相关损耗	dB			0.5
延时量精度	ps			30@2048 pS
延迟步进	ps	2
平坦度	dB	<0.5 dB@2048 pS
响应速率	Hz	>20kHz@热调试模式，>10MHz@电调模式
最大延时量	ps	1024/2048 或可定制
延时量量化位数	bit	10或可定制
通道数		1或可定制
工作温度范围	℃	-20		50
工作湿度范围	%			+65
芯片尺寸	mm	8.1(L)x2.3(W)x0.5(H)

五、SOI芯片光延时线的芯片尺寸

SOI芯片光延时线

六、四川梓冠光电

SOI芯片光延时线

订货信息

波长	类型	通道数
13=1310nm 15=1550nm	10-2048=10 bit，2048 ps XX=other	1=1CH，4=4CH，8=8CH，16=CH 48=48CH，XX=0ther